它在大氣中的壽命約為50,000年,全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似,但四氟化碳不會(huì)破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。





隨著芯片制程向7納米邁進(jìn),細(xì)微雜質(zhì)對(duì)芯片的損害更為明顯,電子產(chǎn)業(yè)對(duì)高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡,應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場仍在不斷擴(kuò)大,光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量不斷上升,預(yù)計(jì)2020-2025年,我國高純四氟化碳市場需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長。

在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,后經(jīng)精餾而得成品。四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶不得靠近火源,不得受日光曝曬,與明火距離一般應(yīng)該不小于10米,氣瓶不得撞擊。氣瓶的瓶子嚴(yán)禁沾染油脂。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中,緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼猓⑼ㄟ^加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。

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